[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011628823.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750955A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王天锋 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 朱阳波 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的发光层；其中，所述发光层包括：间隙材料、分散于所述间隙材料中的量子点；所述间隙材料的透光率大于80％，所述间隙材料的折射率大于1.2。本发明通过将量子点分散于间隙材料中，使得间隙材料填充了量子点之间的间隙，由于该间隙材料具有高的透光率和折射率，从而增强了量子点中光子的取出，进而提高了量子点发光二极管的发光效率；同时，减弱了量子点对光子的吸收，降低量子点本征发光引起的光老化，提高了器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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