[发明专利]制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池

摘要

本申请提供制绒方法、单晶硅片及单晶硅太阳电池，涉及光伏技术领域。方法如下：对单晶硅片碱制绒；对碱制绒后的单晶硅片第一次酸洗；对第一次酸洗后的单晶硅片采用制绒溶液进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；制绒溶液中金属离子的含量为0.0001‑0.001mol/L；对金属离子辅助制绒后的单晶硅片第一次脱金属处理；对第一次脱金属后的单晶硅片第二次酸洗；采用修饰液，对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰，以对纳米孔洞扩孔；采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片进行第二次脱金属。金属离子浓度较小，形成的纳米孔洞尺寸小，反射率低。鼓泡产生震动，臭氧与金属离子发生化学反应，金属离子在孔洞内残留少，复合少，发电效率高。