[发明专利]基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统及高效晶圆生产方法有效
| 申请号： | 202011629432.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112813418B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 廖海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 | 代理人： | 熊军 |
| 地址： | 214112 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统，包括真空传输平台、反应腔室组、加载腔体，热型原子层沉积室(TALD)和调配管理器；所述反应腔室组、加载腔体和热型原子层沉积室(TALD)以环绕所述真空传输平台的方式布置；所述真空传输平台保持真空无尘环境，包括自动机器人，所述自动机器人和所述调配管理器数据通信连接，所述自动机器人用于在所述反应腔室组、加载腔体和热型原子层沉积室(TALD)之间调配传输晶圆材料。本发明的基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统，反应腔室组采用矩阵阵列布置，从而可以更好的布置腔室，并利用传感设备检测腔室单元的工作状态，以便实时调整工作腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ald 技术 原子 沉积 控制系统 高效 生产 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
