[发明专利]一种选择性多晶硅厚度与掺杂浓度电池结构的制备方法

摘要

本申请公开一种选择性多晶硅厚度与掺杂浓度电池结构的制备方法，采用硝酸氧化法、臭氧水氧化法或者热氧化法形成厚度2nm的隧穿氧化层；采用PECVD先在隧穿氧化层上沉积一层轻掺杂的非晶硅薄膜，采用掩膜版盖在轻掺杂的非晶硅薄膜上，采用PECVD的方式继续在电池镂空区域沉积一层重掺杂的非晶硅薄膜，用退火炉对硅片进行退火，使其晶化成非金属接触区域轻掺杂多晶硅薄膜和金属接触区域重掺杂多晶硅薄膜；采用PECVD或ALD的方式在非金属接触区域轻掺杂多晶硅薄膜和金属接触区域重掺杂多晶硅薄膜表面沉积一层钝化层；采用丝网印刷的方式在金属接触区域位置印刷金属电极并烧结。