[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池FTO基底清洗装置在审
| 申请号： | 202011631668.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750735A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 柯雨馨;梁兴芳;戴亮亮;许奕川 | 申请（专利权）人： | 阳光中科（福建）能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 362300 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池FTO基底清洗装置。所述钙钛矿太阳能电池FTO基底清洗装置包括箱体；清洗腔，所述清洗腔开设在所述箱体上；储水腔，所述储水腔开设在所述箱体上并位于所述清洗腔的右侧；洁净丙酮腔，所述洁净丙酮腔开设在所述箱体上并位于所述储水腔的下方；洁净酒精腔，所述洁净酒精腔开设在所述箱体上并位于所述洁净丙酮腔的下方；排水腔，所述排水腔开设在所述箱体上并位于所述清洗腔的下方；废丙酮腔，所述废丙酮腔开设在所述箱体上并位于所述排水腔的下方。本发明提供的钙钛矿太阳能电池FTO基底清洗装置具有减轻人们劳动量、减少占地面积、降低了生产成本、且能够对废液进行分开收集、便于后续处理的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 太阳能电池 fto 基底 清洗 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
