[发明专利]一种金纳米棒表面生长介孔二氧化硅材料的制备方法在审
申请号: | 202011631694.0 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112775435A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 邓天松;卫鸣璋;张棋;顾伊杰;程知群 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/02;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 陆永强 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了一种金纳米棒表面生长介孔二氧化硅材料的制备方法,首先使用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与油酸钠(NaOL)作为双表面活性剂,采用种子介导法(seed‑mediated)合成金纳米棒。将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl |
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搜索关键词: | 一种 纳米 表面 生长 二氧化硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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