[发明专利]一种图形化复合衬底的检测及其修复方法在审
申请号: | 202011632689.1 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112802769A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 徐良;彭艳亮;史伟言;张磊;刘建哲;陈雷;蒋阳 | 申请(专利权)人: | 黄山博蓝特半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L33/00;H01L33/22 |
代理公司: | 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 | 代理人: | 曹宏筠 |
地址: | 245000 安徽省黄山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
本发明公开了一种图形化复合衬底的检测及其修复方法,该检测方法首先使用原子力显微镜测量出衬底上复合图形的总体高度和复合图形底部的直径,然后采用BOE腐蚀工艺去除复合图形上的SiO |
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搜索关键词: | 一种 图形 复合 衬底 检测 及其 修复 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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