[发明专利]一种具有高离子电导率人工SEI膜的金属锂负极及其制备方法有效
申请号: | 202011633786.2 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112750986B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 李永生;姜广宇;李开远;毛嘉毅;陈美万 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | H01M4/1395 | 分类号: | H01M4/1395;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/052 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 余永莉 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明提供一种具有高离子电导率人工SEI膜的锂金属负极及其制备方法,包括:1)纳米UiO‑66的合成:将ZrCl |
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搜索关键词: | 一种 具有 离子 电导率 人工 sei 金属 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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