[发明专利]一种发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011633971.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112670386B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底的一侧主表面的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；多个电极图案，多个电极图案埋设于第一半导体层或第二半导体层中，并相互连接且呈网格状分布。通过上述方式，能够解决现有技术存在的发光二极管电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀的技术问题，有效改善电流分布，提高电流分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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