[发明专利]一种利用气氛烧结制备高熵硼陶瓷的方法在审
申请号: | 202011635366.8 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN113213945A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 邰召山 | 申请(专利权)人: | 兆山科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 乐俊 |
地址: | 101300 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种利用气氛烧结制备高熵硼陶瓷的方法,包括以下步骤:步骤一、原料混合:使用二氧化硅作为基质,加入氮化硅和碳化硅,得到混合材料;步骤二、混合材料处理:将上述混合材料进行研磨、干燥、过筛,并置于石墨模具中,进行预压;步骤三、制成符合陶瓷:将上述混合材料的石墨模具在热压炉中通氮气气氛烧结,冷却脱模后进行抛光。本发明的有益效果是:本发明设计了一种基于气氛烧结法制备的氮化硅材料,通过优化配方和工艺参数,制得的氮化硅相比现有的氮化硅陶瓷材料具有耐磨性好、尺寸均匀、成品率高等优点;制备的氮化硅耐磨片具有强度高、韧性好、耐冲击和耐磨性好,而且表面光洁,棱角完整。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 气氛 烧结 制备 高熵硼 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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