[发明专利]一种利用气氛烧结制备高熵硼陶瓷的方法在审

专利信息
申请号: 202011635366.8 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN113213945A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 邰召山 申请(专利权)人: 兆山科技(北京)有限公司
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 乐俊
地址: 101300 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种利用气氛烧结制备高熵硼陶瓷的方法,包括以下步骤:步骤一、原料混合:使用二氧化硅作为基质,加入氮化硅和碳化硅,得到混合材料;步骤二、混合材料处理:将上述混合材料进行研磨、干燥、过筛,并置于石墨模具中,进行预压;步骤三、制成符合陶瓷:将上述混合材料的石墨模具在热压炉中通氮气气氛烧结,冷却脱模后进行抛光。本发明的有益效果是:本发明设计了一种基于气氛烧结法制备的氮化硅材料,通过优化配方和工艺参数,制得的氮化硅相比现有的氮化硅陶瓷材料具有耐磨性好、尺寸均匀、成品率高等优点;制备的氮化硅耐磨片具有强度高、韧性好、耐冲击和耐磨性好,而且表面光洁,棱角完整。
搜索关键词: 一种 利用 气氛 烧结 制备 高熵硼 陶瓷 方法
【主权项】:
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