[发明专利]具有栅极保护二极管的MOS晶体管有效
| 申请号： | 202011636002.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112865773B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 汤茂亮;张昊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有栅极保护二极管的MOS晶体管，MOS晶体管的导电沟道的载流子类型为第一导电类型，栅极保护二极管的第二导电类型掺杂区和MOS晶体管的源区连接，栅极保护二极管的第一导电类型掺杂区和MOS晶体管的栅极结构之间通过第一开关连接；当MOS晶体管的栅源电压使MOS晶体管导通时，第一开关也导通，栅极保护二极管为MOS晶体管的栅极结构的等离子体电荷提供泄放路径；当MOS晶体管的栅源电压使MOS晶体管截止时，第一开关防止栅极保护二极管产生正偏。本发明能防止栅极保护二极管产生正偏，从能消除在CMOS制造过程中的等离子体损伤带来的等离子体电荷在栅极结构中的积累的同时能精确测量GIDL和栅极漏电流，能提高SPICE模型精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 保护 二极管 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
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