[发明专利]一种P型背面定域掺杂电池及制备方法

摘要

本申请公开一种P型背面定域掺杂电池及制备方法，采用PE‑ALD的方式，通入三甲基铝与臭氧沉积超薄隧穿层，采用PECVD的方式，通入硅烷、硼烷或镓烷与氢气离化沉积掺硼/镓非晶硅薄膜，采用纳秒绿光激光或者纳秒红外激光对电池背面进行局部掺杂，形成背面局部P+掺杂区，使用高温炉管，在氮气氛围下进行退火处理，使掺硼/镓非晶硅薄膜晶化成掺硼/镓多晶硅薄膜，采用HF清洗掉掺硼/镓多晶硅薄膜表面的氧化层，采用采用PECVD的方式在掺硼/镓多晶硅薄膜表面沉积一层单层膜或几种的叠层膜的钝化减反射层，采用丝网印刷方法先在钝化减反射层表面激光掺杂重合区域印刷烧穿型铝线铝浆形成背面铝电极，再并进行烧结，形成铝硅合金。