[发明专利]一种古斯-汉欣位移量计算方法在审
| 申请号： | 202011637470.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112733080A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 曾然;倪鹏飞;黄佳莹;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/16 | 分类号： | G06F17/16;G06F30/20;G01B11/02 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种古斯‑汉欣位移量计算方法，包括步骤：S1、建立有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的模型；S2、确定入射介质中的四元向量和边界条件；S3、使用传递矩阵法求得有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的传输矩阵；S4、根据传输矩阵求得电磁波从真空入射到有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的反射系数矩阵；S5、利用固定相位法根据反射系数矩阵计算出古斯‑汉欣位移。本发明采用固定相位法，计算出有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移，能够准确地分析有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移特性，能够准确地反映出入射电磁波的偏振态，入射角，有限带隙拓扑绝缘体的带隙宽度，层数，层厚等参数对古斯‑汉欣位移特性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 位移 计算方法 | ||
【主权项】：
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