[发明专利]一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法在审
| 申请号： | 202011637782.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112687527A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李国强;邢志恒;吴能滔;李善杰;孙佩椰;姚书南;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为In |
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| 搜索关键词： | 一种 尺寸 sic 衬底 应力 gan 薄膜 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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