[发明专利]一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法有效
| 申请号： | 202011638382.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112859534B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 匡翠方;杨顺华;刘旭;李海峰;丁晨良;魏震;徐良 | 申请（专利权）人： | 之江实验室;浙江大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 杨小凡 |
| 地址： | 310023 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法，该装置可产生N×N强度独立可控的高质量PPI阵列，每个PPI刻写点由干涉点阵暗斑和激发光重合而成，具有高通量超分辨刻写的能力。装置主要包括两路光：一路光通过四光束干涉产生等强度等间距的光斑点阵，点阵暗斑用作涡旋抑制光；另一路光通过MLA产生N×N激发光点阵，同时通过SLM和DMD分别调控各激发光的位置和强度，实现涡旋光阵列与激发光点阵精密重合且刻写点大小独立可控。该装置与方法通过产生相同刻写点大小的PPI阵列，可进行高均匀度三维结构的高通量超分辨直写加工，控制刻写点大小使其具有特定分布，还可并行加工任意曲面结构，可应用于超分辨光刻等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 边缘 抑制 阵列 并行 装置 方法 | ||
【主权项】：
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