[发明专利]一种基于纳米金属的嵌入式三维互连结构制备方法有效
| 申请号： | 202011638463.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820693B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 杨冠南;刘宇;崔成强;张昱 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于纳米金属的嵌入式三维互连结构制备方法，采用多片带孔洞或空腔的玻璃片粘合，形成具有三维空腔的基板结构；再通过点胶装置将纳米金属膏对三维空腔进行填充；填充完毕后，使用激光对三维空腔内的纳米金属进行定向烧结成型；最后对基板结构进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒。本发明形成三维空腔的基板结构并采用纳米金属填充，然后烧结形成嵌入式三维互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 金属 嵌入式 三维 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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