[发明专利]一种高性能二氧化锰电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011638929.9 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112831815B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 张明;李继涛 申请(专利权)人: 成都第三象限未来科技有限公司;成都能太科技有限公司
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C25D7/00;C25D5/20;H01G11/46;H01G11/86;H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1391;H01M10/052;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 杨浩林
地址: 610095 四川省成都市中国(四川)自由贸易*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高性能二氧化锰电极及其制备方法,其制备方法包括在传统的电化学制备二氧化锰的基础上引入了超声振荡处理和铵根阳离子辅助沉积技术,实现了高性能二氧化锰超级电容器材料的制备。相较于传统电化学方法制备的二氧化锰,使用超声振荡处理和铵根阳离子辅助电化学沉积技术制备的二氧化锰电极材料的比容特性将会倍增。使用这种二氧化锰电极装配的锂锰电池和超级电容器的储能特性远优于现有报道。且这是一种可一步实现的电沉积技术,即不需要多个沉积步骤,工艺简单,操作方便,可控性和重复性强,良品率高。本发明提供的技术是制备新一代二氧化锰电极材料的良好选择。
搜索关键词: 一种 性能 二氧化锰 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
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