[发明专利]一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011638994.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112736129B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;蔡文必;孙希国 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法，所述器件包含从下至上层叠设置的衬底、沟道层、势垒层；于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层在沿着栅宽方向设置若干个子凹槽，若干个子凹槽中至少两个或两个以上的子凹槽的凹槽深度不同；所述栅极设置在栅极区域的势垒层上及子凹槽上；沿着栅宽方向若干个子凹槽的凹槽深度不规则排列。本发明器件及制作方法，通过半导体加工技术，在栅极区域下方实现沿栅宽方向连续排列的不同深度的子凹槽，凹槽深度沿栅宽方向任意排列，保证总体器件在开态漏极电流均匀分布的同时，实现器件跨导的平整性，使器件在射频工作时随着输入功率的增加，器件增益保持不变，线性度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 hemt 射频 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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