[发明专利]采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型在审
| 申请号： | 202011639121.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112765922A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈静;谢甜甜;王青;吕迎欢;葛浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型，包括：核心器件，所述核心器件为一晶体管，包括源极、漏极、正栅、以及SOI衬底的背栅；所述核心器件的外围电路包括：栅极电阻、栅极到接触孔的电阻、源极和漏极电阻、栅极到源极的边缘电容、栅极到源极的寄生电容、栅极到漏极的边缘电容、栅极到漏极的寄生电容、埋层氧化物层电容、源端下方的埋层氧化物电容、漏端下面的埋层氧化物电容、埋层氧化物下方的阱区域的分布式电阻、衬底部分的电阻和电容、以及背栅电阻。本发明综合考虑了FDSOI衬底的特点，重新设计了一套更适合射频FDSOI领域的合适的器件模型，对比结果显示其于测试值高度吻合。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 soi 衬底 射频 晶体管 仿真 模型 | ||
【主权项】：
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