[发明专利]一种巨磁阻抗效应石墨烯/纳米晶复合材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种巨磁阻抗(GMI)效应石墨烯/纳米晶复合材料及制备方法，其方法通过在巨磁阻抗传感器敏感元件Fe73.5Cu1Nb3Si13B9.5纳米晶条带上，通过化学气相沉积(CVD)法，以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为碳源直接生长石墨烯，得到石墨烯/纳米晶（Graphene/FINEMET）双层结构的巨磁阻抗传感器敏感元件。其有益效果在于通过合适的碳源选择及CVD生长工艺，成功在较低温度下在纳米晶条带生长了高质量石墨烯层。直接生长的高质量石墨烯层一方面因其高导电性能作为高频电流流动的途径，大大降低了趋肤效应；另一方面本方法提高了在条带上直接生长石墨烯的兼容性，使得纳米晶条带的软磁性能得以保持延续。最终获得了巨磁阻抗效应石墨烯/纳米晶复合材料。