[发明专利]一种背向集成激光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202011640227.4 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112769032B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 翟文豪;刘思旸;张燕 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/024;H01S5/02
代理公司: 江苏坤象律师事务所 32393 代理人: 赵新民
地址: 401332 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种背向集成激光器件的制造方法,硅光晶圆工艺包括:对SOI晶圆进行前段工艺,形成耦合波导,在硅光后段工艺中,在激光器耦合波导两侧沉积互联金属;将SOI晶圆与载体晶圆进行键合;去除SOI晶圆上的衬底,将SOI晶圆上的BOX层减薄至目标值;于波导两侧沉积互联金属相应位置制作电连接孔或槽,露出全部或部分互联金属,沉积n型III‑V接触金属的种子层;III‑V外延片上电极工艺步骤包括:于外延片上与硅光晶圆电连接孔或槽相匹配位置制造出金属电极;硅光晶圆工艺和III‑V外延片上电极工艺完成后,将硅光晶圆与III‑V外延片进行插入键合。本发明的一种背向集成激光器件的制造方法,在底部形成n型III‑V的接触电极,降低器件电阻,提高器件效率,降低缺陷复合,提高器件载流子注入效率。
搜索关键词: 一种 背向 集成 激光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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