[发明专利]一种背向集成激光器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011640236.3 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112769033A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 翟文豪;刘思旸;张燕 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/024;H01S5/02
代理公司: 江苏坤象律师事务所 32393 代理人: 赵新民
地址: 401332 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种背向集成激光器件,包括基底、所述基底二氧化硅层内设的波导结构、有源激光器件,有源激光器件通过半导体材料层与基底二氧化硅层键合,有源激光器件上部设有第一金属电极,基底二氧化硅层内设有第二金属电极结构,第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触;第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层,第二金属电极结构包括互联金属层和电极金属层,电极金属层有至少两部分拼接而成。本发明还涉及一种背向集成激光器的制造方法,包括,对SOI晶圆制造工艺和外延片制造工艺。本发明的一种背向集成激光器的制造方法,降低器件电阻,提高器件效率,降低缺陷复合,提高器件载流子注入效率。
搜索关键词: 一种 背向 集成 激光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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