[发明专利]一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的模具及生长方法在审
| 申请号： | 202011640518.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112795982A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;赛青林;张龙 | 申请（专利权）人： | 杭州光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 311400 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的模具及生长方法。沿所述模具宽度方向上，所述模具的顶端为曲面，所述曲面为凹型曲面，所述曲面为等温或近似等温曲面。本发明根据大尺寸氧化镓晶体的热场分布情况，设计了曲面的模具顶端结构，曲面的曲率由温度梯度分布进行拟合设计得到。该曲面顶端结构，可以实现模具径向温度梯度的可控调节，有效解决了生长大尺寸氧化镓晶体时温度差带来的生长缺陷的问题，尤其在4英寸以上尺寸时能够有效减少温度差带来的生长困难，显著提高晶体的质量。且本发明的模具可适用于多种导模法引晶方式，可以减少各类缺陷的产生，从而提高晶体的可利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导模法 生长 尺寸 氧化 晶体 模具 方法 | ||
【主权项】：
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