[发明专利]一种激光二极管有效
| 申请号： | 202011640564.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112787210B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李水清;钟志白;黄少华;张宏铭;李闳;臧雅姝;叶涛 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光二极管，其包括基板，位于所述基板的第一表面上的半导体层序列，以及形成在所述基板的第一表面的反射镜，该反射镜靠近半导体层序列的出射腔面并且与所述外延层间隔分布。经半导体层序列的出射腔面出射的光被反射镜接收并反射，反射后的出射光在垂直半导体层序列的方向上出射，形成类似面射型激光二极管。由此可以将包括若干上述激光二极管的基板(晶圆)置于测试装置中直接进行测试，无需再将边射型激光二极管割裂成bar条进行测试。该激光二极管能够大大简化测试工序，缩短测试时长。上述激光二极管实现了边射型激光二极管的晶圆级测试，因此能够直观地显示晶圆的调试状况，利于后续激光二极管制造工艺的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光二极管 | ||
【主权项】：
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