[发明专利]一种背向集成有源器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011641052.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112769031B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张燕;刘思旸;翟文豪 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背向集成有源器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括硅衬底层、硅波导结构和有源器件层；还包括热分流器层和包层材料层；所述热分流器层位于所述硅衬底层和有源器件层之间，且位于包层材料层外侧与包层材料层接触，形成热流通道。本发明在背向式工艺的基础上，在硅波导正面填充具有导热性能的包层材料，在硅衬底层与有源器件层之间设置热分流器层结构，大幅提升了背向集成有源器件的散热效果，有效解决了现有集成有源器件中热阻较大、热分流器导热效果不佳的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背向 集成 有源 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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