[发明专利]一种平面TEM样品的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011643547.5 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112649624A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 李全同;刘珠明;张衍俊;陈志涛 申请(专利权)人: 广东省科学院半导体研究所
主分类号: G01Q30/20 分类号: G01Q30/20;G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 陈旭红;吴落
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种平面TEM样品的制备方法,包括:获取包含待测区域的平面TEM样品;其中,所述平面TEM样品的衬底面具有浅凹且未经过氩离子束减薄;对所述平面TEM样品进行氩离子束减薄,直到所述平面TEM样品表面形成穿孔且所述浅凹的边缘接触到所述待测区域时,停止氩离子束减薄,获得最终的平面TEM样品。本发明通过在平面TEM样品衬底面形成浅凹的处理,对所述衬底面形成浅凹的平面TEM样品进行氩离子束减薄,有效解决了在减薄过程中平面TEM样品表面待测区域被去除掉的问题,从而极大地提高了平面TEM样品的制备成功率和检测效率,进而降低了平面TEM样品的制备成本,缩短了制备时间。
搜索关键词: 一种 平面 tem 样品 制备 方法
【主权项】:
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