[发明专利]GaN HEMT集成器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011644486.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112768409B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 许明伟;李海滨;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L21/84;H01L21/86;H01L27/085;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种GaNHEMT集成器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上制备缓冲层，并在缓冲层上外延形成第一外延层和第二外延层；在第二外延层的上表面沉积第一介质层和盖帽层，该盖帽层用于制备所述GaNHEMT器件的参考栅极；在参考栅极的外侧形成栅极外墙，并根据参考栅极和栅极外墙为掩膜外延形成重掺杂的第三外延层；将参考栅极制备为栅极以及制备源漏极。可见，本申请实施例，有利于制备低成本高产量的GaN射频HEMT集成器件，缩小集成器件尺寸，实现全自对准和小尺寸结构的栅极工艺集成方法，减小源漏极到栅极的寄生电阻，提升GaN HEMT集成器件在射频和毫米波应用中的性能。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 集成 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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