[实用新型]具有2D材料中介层的外延基板有效
| 申请号： | 202020012738.0 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN210984756U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王晓靁;施能泰;宋高梅 | 申请（专利权）人： | 王晓靁 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 中国台湾台南市东区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层上借助范德华外延生长AlGaN或单晶GaN外延层。本实用新型提供可行技术满足在多晶基底上进行单晶层外延，可以制作大尺寸(6吋及6吋以上)基底且制作成本远低于相关单晶芯片，同时解决现有UVC LED和GaN系镭射二极管外延基板问题并能显着降低工序成本，有效提升AlGaN宽能隙光电及电子组件以及GaN系镭射二极管的组件效能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材料 中介 外延 | ||
【主权项】：
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