[实用新型]一种单一芯片全桥TMR磁场传感器有效
| 申请号： | 202020023750.1 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN212008887U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘明;关蒙萌;胡忠强;周子尧;朱家训;黄豪 | 申请（专利权）人： | 珠海多创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种单一芯片全桥TMR磁场传感器，包括：磁电阻元件及偏置电流支路，所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构；所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层，所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连，所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流；位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反，位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本实用新型在磁电阻元件中设置偏置电流层，利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向，实现对外部磁场的敏感相应，本实用新型的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单一 芯片 tmr 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
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