[实用新型]一种GaN LED外延结构有效
| 申请号： | 202020024053.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN211088295U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN LED外延结构，所述外延结构包括衬底、设于衬底上的N型GaN层、设于N型GaN层上的有源层、设于有源层上的P型GaN层，还包括反射层，所述反射层设置在N型GaN层和有源层之间，或者/和设置在P型GaN层和有源层之间；所述反射层包括若干个周期的GaN层和InAlN层，所述InAlN层设置在所述GaN层上，所述InAlN层的折射率大于GaN层的折射率，所述GaN层的光学厚度大于InAlN层的光学厚度。本实用新型将反射层设置在外延结构内，有源层发出的光很快就被反射层进行反射，不需要经过很多层外延结构和衬底才可以进行反射，有效减少光的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 | ||
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