[实用新型]一种IGBT结构有效
| 申请号： | 202020048306.5 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN211428173U | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 栾宁;史波;肖婷;葛孝昊;郭依腾 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种IGBT结构，其包括：衬底层，所述衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道。本结构通过在衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道，使得不用在IGBT结构中挖沟槽结构，简化了IGBT结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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