[实用新型]一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统有效
| 申请号： | 202020063115.6 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN211265420U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王彦君;张宏杰;武卫;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;常雪岩;谢艳;杨春雪;刘秒;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统，包括碱洗部、第一纯水清洗部、酸洗部、第二纯水清洗部和第三纯水清洗部，碱洗部、第一纯水清洗部、酸洗部、第二纯水清洗部与第三纯水清洗部依次设置，对硅片依次进行清洗，其中，碱洗部设有碱溶液，对硅片进行碱溶液清洗；酸洗部设有酸溶液，对硅片进行酸溶液清洗；第一纯水清洗部、第二纯水清洗部与第三纯水清洗部均设有纯水。本实用新型的有益效果是用于对大直径硅片边抛后清洗，采用碱洗和酸洗，去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，保证硅片表面的清洁度，降低清洗成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 边抛大 直径 硅片 表面 洁净 清洗 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
