[实用新型]存储器有效
| 申请号： | 202020139980.4 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN211182205U | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 赖惠先;林昭维;朱家仪;童宇诚;吕前宏 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种存储器。通过使位线组中位于边缘位置的第一位线的宽度尺寸大于排布在内的第二位线的宽度尺寸，从而在制备位线组时，不仅可以保障第一位线的形貌，并且在宽度较大的第一位线的阻挡保护下，还可以提高第二位线的形貌精度，进而有利于提高所形成的存储器的器件性能。同样的，由于多个节点接触部中位于边缘位置的第一接触部的宽度尺寸大于第二接触部的宽度尺寸，相应的可以保障第一接触部的形貌，并提高第二接触部的图形精度，进一步提高所形成的存储器的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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