[实用新型]一种LPCVD双材质真空反应室有效
申请号: | 202020140602.8 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN211497783U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 张凤嘉;任俊江;薇儿妮卡·夏丽叶;张灵;肖益波 | 申请(专利权)人: | 赛姆柯(苏州)智能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 吴芳 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州相城区经济技术开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种LPCVD双材质真空反应室,其包括反应室、进气组件及出气管,进气组件与外部气源连接,反应室包括外层腔体及设在外层腔体内的内层腔体;进气组件包括至少一个左进气管及至少一个右进气管,每一个左进气管的进气口设置在反应室长度方向的一端部,每一个右进气管的进气口设置在反应室长度方向的另一端部,左进气管和右进气管上均设有多个出气孔。本实用新型设计的真空反应室,反应室两端均有进气管进行气体扩散,使得反应室内气体分散广泛均匀,出气稳定,提高硅片薄膜均匀性及工艺质量,提高产品优良率;真空反应室采用双层结构,真空性优异,抗冲击性能强,提高整体反应室的强度,提高使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 lpcvd 材质 真空 反应 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛姆柯(苏州)智能科技有限公司,未经赛姆柯(苏州)智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202020140602.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种车用控制开关构造
- 下一篇:一种RGB芯片倒装封装结构
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的