[实用新型]一种快速电荷转移的像素版图结构有效
| 申请号： | 202020143990.5 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN211789016U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 高志远;顾天宇 | 申请（专利权）人： | 天津海芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/02 |
| 代理公司： | 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 | 代理人： | 马倩倩 |
| 地址： | 300300 天津市滨海新区高新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种快速电荷转移的像素版图结构，包括光电二极管PD和传输栅TG，所述光电二极管PD的一侧边中部放置传输栅TG；所述光电二极管PD的四个侧边处根据距离传输栅TG的距离不同，增加若干个不同P型离子注入浓度的P型注入区，远距离放置高浓度的P型注入区，近距离放置低浓度的P型注入区。本实用新型实现了在大尺寸像素情况下边缘电荷具有较高的转移效率，避免了传统像素中电荷转移不完全导致的拖尾问题；同时避免了版图形状调整带来的填充因子降低问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 电荷 转移 像素 版图 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
