[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202020169605.4 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN211789011U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 雒曲;徐政业 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件。该导体器件包括半导体基板、埋入式字线结构和鳍型结构。其中半导体基板具有浅沟槽隔离结构和平行设置的多个有源区；埋入式字线结构位于所述半导体基板内，沿第一方向延伸，跨过多个所述浅沟槽隔离结构和所述有源区；鳍型结构位于所述有源区与所述埋入式字线结构相交的区域中，且所述埋入式字线结构环绕包覆所述鳍型结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
