[实用新型]一种半导体功率器件结构有效
| 申请号： | 202020180785.6 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN210984735U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙闫涛;黄健;陈则瑞;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;樊君;张丽娜 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 曾敬 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括第一导电类型的衬底及位于衬底上的第一导电类型的外延层，在外延层的上部设有第二导电类型的阱区，在阱区间设有控制栅沟槽，控制栅沟槽底部设有分离栅沟槽，分离栅沟槽内填充有分离栅多晶硅以及包裹分离栅多晶硅侧面和底面的分离栅氧化层，控制栅沟槽的侧壁和底壁上设置有栅氧化层，栅氧化层覆盖分离栅多晶硅和分离栅氧化层的顶部，由栅氧化层形成的控制栅沟槽的侧壁处设置有栅极多晶硅；栅极多晶硅的内侧位于分离栅多晶硅侧壁以外的区域。本实用新型源极与栅极之间的寄生电容极小，大幅降低了源极与栅极之间漏电流的风险，解决了传统分离栅MOSFET会产生的问题，除了改善器件特性也提升了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 结构 | ||
【主权项】：
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