[实用新型]功率半导体组件有效
| 申请号： | 202020182422.6 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN211507621U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 涂高维 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙) 11328 | 代理人： | 钱莺勤;王斌腾 |
| 地址： | 中国台湾新北市五*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种功率半导体组件，包括导电片、金氧半导体芯片、封装层、至少一第一导电插塞与汲极接触垫。其中，导电片具有芯片放置区与周围区，周围区是连接芯片放置区。金氧半导体芯片是放置于芯片放置区。此金氧半导体芯片包括闸极区、源极区与汲极区，闸极区与源极区是位于金氧半导体芯片的上表面，汲极区是位于金氧半导体芯片的下表面且连接芯片放置区。封装层是包覆金氧半导体芯片与导电片。第一导电插塞是贯穿封装层且连接周围区。汲极接触垫是设置于封装层的上表面且连接第一导电插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 组件 | ||
【主权项】：
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