[实用新型]功率半导体装置有效
| 申请号： | 202020204770.9 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN213692016U | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | J·赫格尔;T·卡切夫斯基;M·舍费尔;C·施魏克特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体装置，其包括：第一功率半导体模块和第二功率半导体模块，其中每个功率半导体模块包括第一主侧和相对的第二主侧，并且其中，所述功率半导体模块被布置为使得所述第一功率半导体模块的主侧和所述第二功率半导体模块的主侧彼此面对；以及用于对所述功率半导体模块进行直接液体冷却的冷却器壳体，该冷却器壳体包括流体通道，其中，所述第一功率半导体模块的至少一个主侧形成所述流体通道的侧壁，并且其中，所述流体通道中沿所述第一功率半导体模块的第一主侧的流动方向和沿所述第一功率半导体模块的第二主侧的流动方向被定向在相反的方向上。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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