[实用新型]一种旋转磁控溅射阴极的导电结构有效
| 申请号： | 202020217053.X | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN211420300U | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王伟;卢成 | 申请（专利权）人： | 成都国泰真空设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人： | 廖曾 |
| 地址： | 611130 四川省成都市温江*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种旋转磁控溅射阴极的导电结构，包括：导电件和固定件，所述导电结构的转轴处设置有具有开口的固定部，导电件从所述固定部的其中一个开口伸入并从所述固定部的另一个开口伸出，以与所述转轴接触，所述导电件通过所述固定件限位于所述固定部。如此，能够实现导电件与转轴的直接接触，进而增大导电件与转轴的导电面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 旋转 磁控溅射 阴极 导电 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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