[实用新型]一种铁电畴定义的MoTe2有效

专利信息
申请号: 202020223119.6 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN211670218U 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 王建禄;伍帅琴;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 专利公开了一种铁电畴定义的MoTe2面内PN结。PN结结构自下而上依次是绝缘衬底、金属底电极、铁电功能层、过渡金属硫族化合物双极性半导体MoTe2和石墨烯电极。器件的制备步骤是先运用紫外光刻或者电子束光刻的方法结合热蒸发、剥离工艺在绝缘衬底上制备左右两个金属底电极,然后用旋涂法在底电极上制备铁电薄膜,随后通过机械剥离法将双极性半导体MoTe2转移至铁电薄膜上,然后通过机械剥离工艺获得石墨烯并转移至MoTe2上作为电极,最后分别给左右两个底电极施加正向和负向电压脉冲调节铁电薄膜的极化方向相反,从而将双极性半导体两边调节成电子和空穴导电,形成面内PN结。该类PN结具有典型的整流特征,无需一直施加外加栅压,稳定性好等特点。
搜索关键词: 一种 铁电畴 定义 mote base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202020223119.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top