[实用新型]成像像素有效
申请号: | 202020267367.0 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN211457239U | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | T·格蒂斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/378;H04N5/355 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王琳;马芬 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供一种成像像素,该成像像素具有高动态范围,可包括响应于入射光而生成电荷的光电二极管。来自光电二极管的电荷可耦接到电压源,并且可被丢弃或转移到诸如存储二极管的电荷存储区。在丢弃电荷和积聚电荷之间交替进行能够减轻闪烁。当电荷存储区中的生成的电荷超过第一电荷电平时,电荷可通过第一晶体管溢出到第一存储电容器。当生成的电荷超过比第一电荷电平更高的第二电荷电平时,电荷可通过第二晶体管溢出。另选地,通过第二晶体管溢出的电荷可耦接到电压源,并且可被排出或转移到第二存储电容器以用于后续读出。将更多溢出电荷转送到电压源可能会增加像素的动态范围。 | ||
搜索关键词: | 成像 像素 | ||
【主权项】:
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