[实用新型]成像像素有效

专利信息
申请号: 202020267367.0 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN211457239U 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: T·格蒂斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378;H04N5/355
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王琳;马芬
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开提供一种成像像素,该成像像素具有高动态范围,可包括响应于入射光而生成电荷的光电二极管。来自光电二极管的电荷可耦接到电压源,并且可被丢弃或转移到诸如存储二极管的电荷存储区。在丢弃电荷和积聚电荷之间交替进行能够减轻闪烁。当电荷存储区中的生成的电荷超过第一电荷电平时,电荷可通过第一晶体管溢出到第一存储电容器。当生成的电荷超过比第一电荷电平更高的第二电荷电平时,电荷可通过第二晶体管溢出。另选地,通过第二晶体管溢出的电荷可耦接到电压源,并且可被排出或转移到第二存储电容器以用于后续读出。将更多溢出电荷转送到电压源可能会增加像素的动态范围。
搜索关键词: 成像 像素
【主权项】:
暂无信息
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