[实用新型]一种VCSEL芯片有效
| 申请号： | 202020272944.5 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN211456210U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 李峰柱;田宇;杜石磊;罗桂兰 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种VCSEL芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展夹层，以提供更好的电流扩展效果和更好地限制光在限制层中传播的电场强度，从而减小VCSEL激光的发散角。通过设置使DBR的反射率大小与所述电流扩展夹层的折射率无关，因此，在不影响DBR的反射率大小的同时，还能更好地实现电流扩展效果及限制光在限制层中传播的电场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 | ||
【主权项】：
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