[实用新型]一种快恢复二极管器件结构有效
| 申请号： | 202020375239.8 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN211789033U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 伽亚帕·维拉玛·苏巴斯;沈华;永福;周旭明 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种快恢复二极管器件结构，主要包括N+衬底层及设置在所述N+衬底层上的N‑外延层，N‑外延层顶部的中间位置上依次设置有半绝缘多晶硅层及氧化硅层，N‑外延层顶部的左右两侧设置有正面金属层，且所述正面金属层的高度高于半绝缘多晶硅层及氧化硅层的高度，氧化硅层及其中一侧正面金属层的顶部设置有钝化层，所述N+衬底层的底部设置有背面金属层，所述制作方法主要包括定义有源区，生长场区氧化层；刻蚀硅表面氧化层后淀积半绝缘多晶硅（SIPOS）和氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层，溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积聚酰亚胺做钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后分别进行少子寿命控制工艺形成具有快速恢复特性的二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 器件 结构 | ||
【主权项】：
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