[实用新型]一种刻蚀装置有效
| 申请号： | 202020395717.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211350595U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 戴明凯 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 224431 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，具体公开一种刻蚀装置。该刻蚀装置包括刻蚀槽体、输流管和多个滚轮组件，刻蚀槽体用于盛放刻蚀药液，多个滚轮组件转动设置于刻蚀槽体上，滚轮组件用于承载待刻蚀件，疏流管的两端均设置于刻蚀槽体的槽壁上，并位于滚轮组件的下方，疏流管上设置有进液口和多个出液口，进液口用于连通外部循环泵，多个出液口沿疏流管的轴线方向均匀且间隔设置，且出液口的方向朝向刻蚀槽体的内底面。本实用新型提供的刻蚀装置，通过在疏流管上设置多个朝向刻蚀槽体底面的出液口，使疏流管对刻蚀药液的疏流方向远离待刻蚀件，减少在循环时对刻蚀药液的流量冲击，使液面平稳，波动较小，防止待刻蚀件出现过刻的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司，未经盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020395717.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池自动充电管理系统
- 下一篇：排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
