[实用新型]排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备有效
| 申请号： | 202020396540.7 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211350596U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨军成 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D46/24;B01D46/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种排气回路、半导体设备和硅深孔刻蚀设备；所述半导体设备或硅深孔刻蚀设备均包括腔室以及排气回路；所述排气回路包括真空泵、前级管路、后级管路和过滤器；前级管路分别连接腔室和真空泵的进口；后级管路分别连接真空泵的出口和废气处理装置；所述过滤器设置在前级管路上，用于过滤半导体制程反应生成物。这样做，可有效减少反应物在真空泵和管路中的累积，避免真空泵卡死，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 排气 回路 半导体设备 硅深孔 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
