[实用新型]一种高速光电二极管有效
申请号: | 202020400695.3 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN212011002U | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 张江勇;林志东 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/0216;H01L31/0232 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高速光电二极管,包括依次层叠的衬底、N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和钝化层;还包括导光层和抗反射层,导光层的形状为圆台,导光层具有顶表面和底表面,导光层的底表面覆盖在钝化层上,导光层的顶表面面积大于底表面面积,导光层顶表面覆盖有抗反射膜。本实用新型可以提高光纤耦合效率,增加芯片响应度。 | ||
搜索关键词: | 一种 高速 光电二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的