[实用新型]一种节省终端区面积的屏蔽栅MOSFET芯片有效
| 申请号： | 202020413494.7 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN212277200U | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王云波 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区4*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种节省终端区面积的屏蔽栅MOSFET芯片，第一多晶硅层隔离分布于元胞区和终端区内；第二多晶硅层分布于元胞区和终端区中，分布于元胞区中的第二多晶硅层充当屏蔽栅MOSFET芯片的栅极；处于元胞区和终端区的金属层均与衬底相连，衬底为N型并由绝缘氧化层作为介质层和金属层绝缘；终端区至少包括一个终端沟槽，终端沟槽填充有第一多晶硅层；元胞区内设有沟槽结构的元胞沟槽，在元胞沟槽内设置屏蔽栅结构；终端沟槽的宽度大于元胞沟槽的宽度；终端沟槽的侧壁和底壁设置终端沟槽绝缘氧化层，终端沟槽绝缘氧化层在终端区边缘和元胞区边缘距离较短面积。有益效果是终端区面积有效减少提高器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 节省 终端 面积 屏蔽 mosfet 芯片 | ||
【主权项】：
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