[实用新型]一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS有效
| 申请号： | 202020417081.6 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN211578761U | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 赵德益;蒋骞苑;吕海凤;赵志方;张啸 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L27/082;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P‑epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P‑sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。与现有双向TVS比，高浓度的多晶具有很小的电阻，可使结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 刻蚀 填充 浓度 多晶 tvs | ||
【主权项】：
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