[实用新型]DFN功率集成半导体器件有效
| 申请号： | 202020444913.3 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN211700244U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 彭兴义 | 申请（专利权）人： | 盐城芯丰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/467 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 224100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种DFN功率集成半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离；所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内。本实用新型DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中。 | ||
| 搜索关键词： | dfn 功率 集成 半导体器件 | ||
【主权项】：
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